台积电与英伟达联手：加速芯片制造速度40-60倍
芯片制造业近年来在计算光刻技术领域取得了显著进展。最新消息显示，台积电和新思科技正在积极部署英伟达的计算光刻平台，以加速制造并推动下一代先进半导体芯片的物理极限。这一举措将为芯片制造业带来巨大的提升，预计计算负载可提速40至60倍之多。
据悉，台积电和新思科技已决定在其软件、制造工艺和系统中集成英伟达的cuLitho计算光刻平台，这将极大地加快芯片制造速度，并为未来支持最新一代英伟达Blackwell架构GPU奠定了基础。此举得到了英伟达首席执行官黄仁勋的肯定，他在一次重要的开发者大会上表示：“计算光刻技术是芯片制造的基石。我们与台积电、Synopsys合作开发的cuLitho应用了加速计算和生成式人工智能，为半导体规模化开辟了新的领域。”
除了集成cuLitho平台外，英伟达还推出了全新的生成式人工智能算法，这一算法将增强用于GPU加速计算光刻技术的库cuLitho，相比目前基于CPU的方法，显著改善了半导体制造工艺。这一算法的出现为芯片制造业带来了巨大的希望，尤其是在半导体制造过程中计算光刻所需的密集工作负载方面。每年耗费数百亿小时的CPU时间将大幅减少，从而提高了生产效率，降低了成本、空间和功耗。
据英伟达披露，现在仅需350个英伟达H100系统即可取代40,000个CPU系统，这使得生产时间得以大幅缩短。在与台积电的合作中，cuLitho平台的优势已经显现。两家公司共同实现了曲线流程速度提高45倍，传统的曼哈顿式流程提高近60倍。这一进展对于半导体制造工艺的改进将具有深远的影响。
另外，英伟达还开发了应用生成式人工智能的算法，进一步提升了cuLitho平台的价值。通过应用生成式人工智能，可以创建近乎完美的反向掩膜或反向解决方案，从而考虑光的衍射。这一技术的应用将整个光学近似校正流程的速度提高了两倍。此举将有助于解决晶圆厂工艺中的瓶颈问题，减少了修改OPC所需的计算量，从而加速了新技术的开发周期。
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