金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117790420A,申请日期为2022年9月。
专利摘要显示,该发明公开了一种半导体结构及其制备方法,所述制备方法包括:提供基底,基底上形成有金属层;于金属层上形成初始掩膜层,初始掩膜层包括核心区域和外围区域,外围区域包括第一区域和第二区域图形化第一区域的图案以形成具有第一间距的第一图案;图形化第二区域的图案以形成具有第二间距的第二图案,第一间距的宽度大于第二间距的宽度,第一图案、第二图案和核心区域的图案共同形成金属掩膜图案;以金属掩膜图案为掩膜图形化金属层。所述制备方法能够实现对不同区域线距线宽分别相对独立控制,以提高半导体结构的性能。
来源:金融界
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