长鑫存储申请半导体专利，避免位线结构损坏_科技资讯

长鑫存储申请半导体专利，避免位线结构损坏

金融界

2024-04-26 16:18:30

金融界2024年4月26日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器“，公开号CN117939873A，申请日期为2022年10月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该方法包括：提供衬底；衬底包括阵列区和外围电路区；于衬底上方形成器件层，器件层包括形成于阵列区上方的阵列器件层和形成于外围电路区上方的外围器件层；对外围器件层进行第一图案化处理，形成至少一个外围器件结构；对阵列器件层进行第二图案化处理，形成至少一个位线结构。这样，本公开实施例首先在衬底上方同时形成外围器件层和阵列器件层，然后先将外围器件层处理为外围器件结构，再将阵列器件层处理为位线结构，从而位线结构是通过图案化阵列器件层一步制备得到的一体化位线结构，使得位线结构稳定，避免位线结构损坏。

来源：金融界

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