三星申请半导体器件专利，提高半导体器件的性能和稳定性_科技资讯

三星申请半导体器件专利，提高半导体器件的性能和稳定性

金融界

2024-01-17 17:19:01

金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117412582A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：衬底，具有第一表面和第二表面；第一导线结构至第三导线结构，设置在第一表面上，沿第一方向延伸，并在第二方向上彼此间隔开；以及SRAM单位单元，设置在第一表面上，并且包括：彼此连接的第一反相器和第二反相器；第一通道晶体管，连接到第一反相器；第二通道晶体管，连接到第二反相器；第一栅电极，包括在第一反相器中；以及第二栅电极，包括在第一通道晶体管中，第一反相器和第一通道晶体管设置在第一导线结构和第三导线结构之间，第二反相器和第二通道晶体管设置在第二导线结构和第三导线结构之间，并且第一栅电极和第二栅电极设置在第一导线结构和第三导线结构之间。

来源：金融界

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