三星申请半导体装置专利，提供一种新型的半导体装置_科技资讯

三星申请半导体装置专利，提供一种新型的半导体装置

金融界

2024-01-19 22:16:04

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利，公开号CN117425342A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括位于基底上的位线、栅电极、栅极绝缘图案、沟道结构、金属氧化物图案和金属图案。位线在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开。栅电极设置在位线上，在第一方向上彼此间隔开，并在第二方向上延伸。栅极绝缘图案形成在栅电极的在第一方向上的侧壁上。沟道结构形成在栅极绝缘图案的在第一方向上的侧壁上。金属氧化物图案形成在沟道结构的在第一方向上的侧壁上。金属图案形成在金属氧化物图案的在第一方向上的侧壁上。

来源：金融界

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