2024-06-13 14:20:17作者：姚立伟

三星晶圆代工论坛年度博览会上，三星公布了其最新的半导体芯片工艺路线图。据报道称，该公司计划在2025年量产2nm芯片，并预计将在2027年实现1.4nm芯片的量产。

三星的2nm工艺布局了多个节点，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等。据悉，三星的第一代2nm工艺SF2将于明年准备就绪，而最先进的2nm工艺节点SF2Z则计划于2027年投入商用。它采用了先进的后端供电网络（BSPDN）技术，可以大幅提高电源效率。

值得一提的是，三星的2nm工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构。这种独特的外延和集成工艺与基于FinFET的工艺技术相比，在晶体管性能提升方面有显著优势：可变性降低约26%，同时漏电降低约50%。

此外，今年2月时，三星宣布与Arm展开合作，并提供基于最新的GAA晶体管技术的产品优化服务。这一合作旨在最大限度地提高下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核的性能和效率。

据了解，三星是全球领先的半导体芯片制造商之一，其在晶圆代工领域的实力备受认可。此次发布的工艺路线图彰显了该公司对先进芯片制造技术的持续投入和创新精神。