摩尔定律停滞，中国芯有大把的时间，来追赶台积电和三星
众所周知，从芯片技术本身来看，我们中国大陆和全球最顶尖的芯片技术还是有差距的。比如台积电、三星已经进入了3nm，然后会在2025年进入2nm。
而我们呢？目前摆在明面上的技术是14nm，这样计算是4代，相差10年左右。
而华为麒麟9000S的推出，意味着或许我们有了7nm的水平，但这是没有摆在明面上的，就算按7nm算，实际也相差2代，5年多，差距大家一算便知。
也正因为如此，所以美国才想要通过各种禁令，来阻止或延缓我们在先进芯片的脚步，让我们的芯片技术一直落后于美国，这样美国就能够获得自己的经济、政治利益。
比如EUV光刻机不准卖到中国大陆来，然后现在连最先进的两款浸润式DUV光刻机也不能卖到中国大陆来了。
虽然形势严峻，不过大家也别太过于担心，因为目前芯片技术，已经发展到接近物理极限了，我们其实有大把的时间反超台积电和三星。
在芯片工艺上，以什么来命名14nm，7nm，3nm这些的？其实指的是栅极宽度。也有人用“线宽”来替代，“线宽”指的是芯片的最小电路蚀刻宽度。
但是，芯片产业的线宽从28nm制程之后，就基本没有再提升，因为电路要正常通电，至少也要几十甚至几百个原子的宽度才行，所以线宽是不可能无限缩小的。
从28nm之后，芯片工艺的推进，更多的是架构和工艺的提升，实现了“更先进芯片一样的能效和性能”。
举个例子，我用28nm制程制造出了28nm芯片，接下来的下一代，线宽没变，理论上还是28nm，但我通过架构和工艺提升，让晶体管密度提升了15%，这一代我是叫28nm呢，还是叫22nm？当然是叫22nm了，同样道理，后面又有了14nm，10nm等。
同样的道理，7nm、5nm、3nm也并不是真的指7nm、5nm、3nm的线宽，而是指架构、工艺等的提升后，让这些芯片，有了理论上5nm、3nm的能效和性能。
现在的芯片工艺进步，更多的不是依赖线宽的缩小，而是用更先进的架构，比如从FinFET晶体管到GAAFET晶体管等，来立体化堆叠晶体管，并最终转化为“等效制程”的工艺，为摩尔定律“续命”。
更重要的是，这样的芯片制造，很多半导体设备是通用的，比如光刻设备、刻蚀设备等，因为线宽并没有真正缩小，在这样的情况之下，虽然所谓的芯片工艺还在进步，但实际上已经是停滞的了，我们就有了大把的时间来追赶了。
甚至就算我们没有先进的EUV光刻机，没有先进的浸润式DUV光刻机，但是通过架构、工艺升级，改进晶体管结构，改变封装技术，一样能够追赶。