随着最新工艺节点进入试生产阶段，美光终于将先进的EUV光刻技术添加到其 DRAM生产节点中。

与竞争对手不同，美光并不急于使用EUV光刻技术制造DRAM，是业内最后一个采用最先进技术的公司。

今年，美光开始在 1γ（1-gamma）制造工艺上试生产DRAM，该工艺明年进入大批量生产（HVM）。

如今，美光的内存芯片生产采用完全依赖DUV光刻的工艺技术。

相比之下，三星和SK海力士都投资了昂贵的EUV光刻工具，每台工具的成本约为 2 亿美元，最终降低了成本。

然而，美光已使用标准DUV多重图案化在1α和1β节点开发了具有成本和性能竞争力的DRAM，但改用EUV将提高新节点的经济效益。

尽管美光在EUV使用方面略微落后于三星和SK海力士，但该公司表示EUV结果看起来非常有希望。

使用极紫外 (EUV) 光刻技术的1γ (1-gamma) DRAM试生产进展顺利，有望在 2025 年实现批量生产。

美光对1γ DRAM工艺技术寄予厚望，并希望使用EUV能够使其制造出业界最小的DRAM单元，这将为即将推出的内存芯片带来巨大的竞争优势，因为将能够制造出业界最便宜、最节能的产品。

EUV将成为此类内存单元的关键推动因素。

尚待观察的是EUV的使用如何影响美光DRAM的性能。

美光公司采用EUV的1γ DRA制造工艺正在广岛工厂进行开发，首批1γ存储产品作为试点生产计划的一部分进行生产。

说实话，美光已经试验Twinscan NXE EUV光刻机一段时间了。

一直在测试这些工具，用EUV流程替换1α和1β节点的一些DUV流程，并逐步调整它们以获得适当的产量。

到目前为止，该公司已经拥有足够的经验，可以开始使用EUV工具进行大规模生产。

美光科技此前曾表示，继续利用极紫外光刻 (EUV) 来完善我们的生产能力，并在EUV和非EUV流程之间实现了1α和1β节点的同等产量和质量。