卓胜微申请非对称侧墙结构及制作方法专利，提高器件性能_科技资讯

卓胜微申请非对称侧墙结构及制作方法专利，提高器件性能

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2024-07-11 20:41:17

金融界 2024 年 7 月 5 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“一种非对称侧墙结构及制作方法“，公开号 CN202410249345.4，申请日期为 2024 年 3 月。

专利摘要显示，本发明提供一种非对称侧墙结构及制作方法，该方法包括：提供基底，基底上具有栅极结构，栅极结构包括相对设置的第一侧面和第二侧面，基底中具有源区待注入区和漏区待注入区，源区待注入区和漏区待注入区分离设置于栅极结构的两侧；于基底上形成侧墙材料层，侧墙材料层覆盖栅极结构的侧面和上表面，侧墙材料层包括自下而上层叠的氧化物层和氮化物层；采用干法刻蚀法刻蚀去除位于第一侧面的氮化物层，保留第一侧面的氧化物层构成第一侧墙，第二侧面的氧化物层和氮化物层构成第二侧墙。本发明中栅极结构两侧设置非对称侧墙，在保证源和栅之间距离不变的情况下，增加栅和漏之间的距离，降低栅和漏之间产生的寄生电容，提高器件性能。

来源：金融界

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