三星申请半导体器件制造相关专利，该技术具有高精度和效率
金融界
2024-01-25 03:57:58
0次
金融界2024年1月24日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和制造其的方法“，公开号CN117438397A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，提供了半导体器件和制造其的方法。该半导体器件包括下结构和在下结构上的上结构。下结构包括第一半导体基板、第一焊盘和第一电介质层。第一电介质层围绕第一焊盘并暴露第一焊盘的顶表面。上结构包括第二半导体基板、第二焊盘和第二电介质层。第二电介质层围绕第二焊盘并暴露第二焊盘的底表面。第一焊盘和第二焊盘隔着界面层彼此接合以将上结构和下结构彼此联接。第一焊盘和第二焊盘以及界面层包括相同的金属材料。第一焊盘和第二焊盘具有基本上相同的平均晶粒尺寸，界面层具有与第一焊盘和第二焊盘不同的平均晶粒尺寸。
来源：金融界
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