三星申请半导体器件专利，提供了一种包括互连结构的半导体器件_科技资讯

三星申请半导体器件专利，提供了一种包括互连结构的半导体器件

金融界

2024-01-09 13:14:56

金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括互连结构的半导体器件“，公开号CN117352493A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，提供了一种包括互连结构的半导体器件。该半导体器件包括：下结构；中间绝缘结构，该中间绝缘结构位于下结构上；中间互连结构，该中间互连结构穿透中间绝缘结构；上绝缘结构，该上绝缘结构位于中间绝缘结构和中间互连结构上；以及上导电图案，该上导电图案穿透上绝缘结构并且电连接到中间互连结构，其中，中间绝缘结构包括中间蚀刻停止层和在该中间蚀刻停止层上的中间绝缘层，该中间绝缘层包括第一中间材料层和第二中间材料层，该第二中间材料层的上表面与第一中间材料层的上表面共面，该中间互连结构穿透第一中间材料层和中间蚀刻停止层，并且第一中间材料层的材料的介电常数高于第二中间材料层的材料的介电常数。

来源：金融界

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