280层QLC将至 最大16TB固态准备中！
1月30日、也就是昨天，三星宣布正在开发下一代QLC技术（V9 QLC），堆叠层数达到了惊人的280层，这意味着未来固态硬盘的容量将急剧增加，甚至有追平机械硬盘的趋势——你要问这个“未来”有多久，答案是今年冬季！
根据目前透露的信息，三星V9 QLC闪存的存储密度达到了前所未有的每平方毫米28.5Gb，相比目前长江存储232层QLC堆叠、20.62Gb的存储密度提高了36%之多。当然需要注意，这是开发中vs已推出的固态堆叠技术。
之所以使用使用长江存储232层QLC堆叠做对比，原因是其它厂商的堆叠实在不够看：镁光为232层QLC、密度19.5Gb、SK海力士为176层QLC、密度14.4Gb、西部数据/铠侠为162层QLC、密度13.86Gb。
1分钟浏览颗粒技术发展
最初的闪存颗粒技术叫做SLC，全称Single Level Cell，即单级单元，它的重要特点是每个储存单元内储存1个信息位（电荷高低两种状态记录存储），也就是俗称的1bit。虽然它的读写速度最快（只有两种电信号状态），但是难以用扩大容量，所以陆续演进出MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）。
它们是如何增加容量的呢？说白了就是增加电荷状态用来记录数据，如MLC是2bit数据，也就是2的2次方（4）种电信号差别；TLC是3bit数据，是2的3次方（8）种电信号；QLC则是4bit数据，2的4次方（16）种电信号——同样单位面积下信号差异越多，能记录的数据也就越多，容量自然也就更大。另外，堆叠技术总是和制程工艺的演进螺旋上升的，更高端的制程工艺可以让单位物理面积降低，可堆叠的空间也越大。
当然，也正因为过多复杂的电荷状态，加上电压电流的不断冲击，越复杂的的单元寿命越短。不过随着固态硬盘容量的放大（冗余大幅增加），以及固态写入数据时算法的优化，固态硬盘的总寿命实际是增加的，所以不能单纯看固态颗粒使用的技术盲目推论。
大容量固态将至！
说回三星的V9 QLC闪存技术，280层的堆叠能带来什么呢？当然是容量的跃升——理论上它将能够实现单面8TB、双面16TB的超高容量！说实话，固态硬盘超过8TB将是一个重要的分水岭，它将满足大部分用户的日常存储需求。
当然，机械硬盘也并不是没有用武之地，在拥有成本、故障率这两项上，机械硬盘的优势依旧巨大。换句话说，固态硬盘的作用应该是“热数据”存储、处理，机械硬盘更多的是作为资料存储、数据冷备份的用途存在。
记住，大多数固态硬盘死于主控！而且一旦发生问题，固态硬盘的数据恢复也是个灾难。
至少在三年内，对于高端玩家来说8TB、16TB的消费级固态硬盘是个不错的选择，当然了，超高堆叠层数的固态硬盘也会推动低阶容量产品的降价，4TB有望很快成为“标配容量”。
最后，无论长江存储还是镁光，亦或者SK海力士、西部数据/铠侠，也都在紧锣密鼓地开发更高堆叠QLC，说不准三星不是第一个正式推出280层+QLC的厂商哦——别忘了当初也是别人率先发布，但是由长江存储第一个正式推出230层+QLC的！