在寻找功率器件?不如先了解下龙腾历年拆解案例
充电头网
2024-02-07 20:12:27
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原标题:在寻找功率器件?不如先了解下龙腾历年拆解案例

前言

龙腾半导体股份有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售、服务的高新技术企业。公司在以超结MOSFET为代表的高端功率半导体器件领域走出一条自主创新之路,形成了高压超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET、低压沟槽(Trench)MOSFET、高压平面MOSFET、SiC JBS/SiC MOSFET等6大产品系列,广泛应用于消费电子、工业电子及汽车电子等领域。

龙腾半导体功率器件

充电头网整理关于龙腾半导体的拆解案例时,发现多款龙腾半导体高压SJ MOS以及低压MOS获得蔚来、摩米士、绿联等多家厂商采用,下面小编将为您详细介绍。

高压SJ MOS

龙腾半导体LSH70R1KGT

龙腾半导体LSH70R1KGT是一颗耐压700V,连续漏电流4A,导阻为1Ω的超结MOS,具备超低栅极电荷。这款器件100%通过UIS测试,符合RoHS规范,无铅无卤素,适合LED、适配器、PD充电器等场景应用。

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龙腾半导体LSD55R140GF

龙腾半导体LSD55R140GF是一颗耐压550V,导阻为140mΩ的超结MOS,具备低栅极电荷特性。这款器件100%通过UIS测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,适合PFC功率因数校正、开关电源、UPS等场景应用。

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龙腾半导体LSD65R180GF

龙腾半导体LSD65R180GF是一颗最大耐压700V,连续漏电流20A,导阻为0.18Ω的高压超结MOS,特别适用于追求高效的场景应用。此外,这款器件100% 通过UIS测试并符合RoHS规范,适合LED、适配器、PD充电器、开关电源等场景应用。

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龙腾半导体LSNC65R180GT

龙腾半导体LSNC65R180GT是一颗最大耐压700V,连续漏电流60A,导阻为0.18Ω的高压超结MOS,具备超低栅极电荷。这款器件100%通过UIS测试,符合RoHS无铅无卤素规范。选用这款器件可以有效提升整机效率,适用于PFC功率因数校正、LED、适配器、PD充电器、开关电源等场景应用。

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龙腾半导体LSNC65R180HT

龙腾半导体LSNC65R180HT是一颗最大耐压700V,连续漏电流60A的高压超结MOS,导阻为0.18Ω,特别适合追求高功率密度、高效率的场景应用。这款器件100%通过UIS测试,符合RoHS规范。适用于PFC功率因数校正、LED、适配器、PD充电器、开关电源等场景应用。

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龙腾半导体LSD65R380HT/LSG65R380HT/LSNC65R380HT

这三款器件均为高压超结MOS,最大耐压700V,导阻为0.38Ω;采用龙腾半导体SJ L4品台技术,提升EAS能力,具有极低的栅极电荷,有效降低FOM值,优化开关速度,更容易通过EMI测试,特别适合LED、适配器、PD充电头等产品使用。

此外,这几款器件,100%通过UIS测试,符合RoHS无铅无卤素规范,提供TO-263、TO-252、TO-220、TO-220MF以及DFN8*8多种封装形式。

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低压 SGT MOS

龙腾半导体LSGN06R036HWB

龙腾半导体LSGN06R036HWB是一颗耐压60V,连续漏电流83A,DFN5*6封装的SGT MOS,采用龙腾半导体SGT技术优化,导阻低至3.6mΩ,并能承受高能量脉冲,非常适合作为高频开关。这款器件可以在同步整流、同步buck、同步boost电路上应用。

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龙腾半导体LSGN10R080

龙腾半导体LSGN10R080是一颗耐压100V,连续漏电流83A,导阻8mΩ的SGT MOS,这款MOS管采用龙腾半导体SGT技术,可最大限度地减小导通电阻,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和瞬态放电过程中承受更高能量脉冲,非常适合高频开关应用。这款器件可以在同步整流、同步buck、同步boost电路上应用。

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龙腾半导体LSGN06R036WB

龙腾半导体LSGN06R036WB是一颗耐压60V,连续漏电流83A,导阻为3.6mΩ,DFN5*6封装的SGT MOS。这款MOS管采用龙腾半导体SGT技术,开关性能卓越,能够承受更高的能量脉冲。此外,这款器件可以在同步整流、同步buck、同步boost电路上应用。

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龙腾半导体LSGC15R085W3

龙腾半导体LSGC15R085W3是一颗耐压150V,连续漏电流120A的VDMOS,导阻为7mΩ,这款MOS管采用龙腾半导体SGT 技术,优化Coss和Rdson,更大程度的降低开关损耗和导通损耗,降低温升,支持高开关频率,100%通过雪崩测试,器件无铅无卤素,适用于电机驱动、电池管理和适配器/充电器等场景应用。

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充电头网总结

充电头网了解到,龙腾半导体是国内少有的同时布局超结MOSFET、高压平面MOSFET、中低压沟槽MOSFET、中低压SGT MOSFET、IGBT、快恢复二极管的半导体IDM厂商,经历14年的研发进程,龙腾半导体从低压到高压产品线十分完善,满足厂商的多元化需求,可以广泛应用于快充、汽车、工控的领域。

展会预告

龙腾半导体股份有限公司参加充电头网主办的2024(春季)亚洲充电展,展位在B区B01、02,3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。

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