传SK海力士与台积电谈AI芯片联盟 合作开发HBM4
据韩国每日经济消息，SK海力士近日制定了"一个团队战略"，其中包括与台积电合作开发第六代HBM芯片（HBM4）。据悉，台积电将负责部分HBM4的工艺制造——极有可能是封装工艺，以提升产品兼容性。SK海力士表示 “对此公司无法评论”。
据悉，HBM（HighBandwidthMemory，高宽带内存）的优势是可以将专用数据处理器直接集成在DRAM中，将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中，从而满足AI芯片训练的高宽带要求，因而HBM也被认为是加速下一代AI技术发展的领先存储技术。相较于前三代HBM，HBM4拟更新为更宽的2048位内存接口，以解决此前1024位内存接口"宽但慢"的问题，这就需要台积电的先进封装技术来验证HBM4的布局和速度。
目前，HBM市场呈现SK海力士、三星、美光"三足鼎立"的局面。
据TrendForce集邦咨询HBM市场研究显示，为了更妥善且健全的供应链管理，NVIDIA也规划加入更多的HBM供应商，其中三星（Samsung）的HBM3（24GB）预期于2023年12月在NVIDIA完成验证。美光（Micron）已于2023年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士（SKhynix）已于2023年8月中提供8hi（24GB）样品、三星则于2023年10月初提供8hi（24GB）样品。由于HBM验证过程繁琐，预计耗时两个季度，因此，TrendForce集邦咨询预期，最快在2023年底可望取得部分厂商的HBM3e验证结果，而三大原厂均预计于2024年第一季完成验证。值得注意的是，各原厂的HBM3e验证结果，也将决定最终NVIDIA2024年在HBM供应商的采购权重分配，然目前验证皆尚未完成，因此2024年HBM整体采购量仍有待观察。
此前，SK海力士拟扩大其HBM的生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。在其今年发布的最新财报中，SK海力士表示，公司在筹备支持HBM3E方面稳步地取得进展，将推进大规模生产HBM3E，正处于开发下一代HBM4产品的正轨之上。