SK海力士介绍AIP技术：单次蚀刻数百层3D NAND，有望提效降本
创始人
2026-02-12 12:20:50

IT之家 2 月 12 日消息，在昨日开幕的 SEMICON Korea 2026 半导体展会上，SK 海力士副总裁이성훈 (Lee Sunghoon) 介绍了该公司正在探索的一系列先进存储技术，其中就包括 NAND 端的 AIP (All-in-Plug)。

3D NAND 闪存的各层间需要以细长垂直孔道连接，但目前的 HARC 高纵横比接触刻工艺一次仅能加工出 100~200 层深度的通道，因此现有的高堆叠 3D NAND 实际上是将多个堆栈键合在一起的，这种工艺影响了最终的成本、生产效率、良率。

而 AIP 技术允许一次性蚀刻 300 层以上，如果其得到实际应用将可大幅减少蚀刻次数，优化成本表现。SK 海力士正朝在 V11 NAND 中导入这项技术的目标迈进。

上一篇：多领域适配，Infoseek字节探索赋能网络舆情管理精细化升级

下一篇：青岛钢研德凯申请熔模铸造模具专利，提高了产品取出的效率

相关内容

热门资讯

首次搭载国产“心脏”！我国全面... ◎ 科技日报记者 张晔 实习生 赵林芳 4月3日，国产最大直径敞开式硬岩掘进机（TBM）在江苏省常熟...
苹果Studio Displa... IT之家 4 月 7 日消息，科技媒体 Appleinsider 昨日（4 月 6 日）发布博文，报...
协同推动数据资源开发利用 （来源：河北日报） 转自：河北日报 河北省公共数据运营中心与9家企业合作 协同推动数据资源开发利用 ...
东通光网申请蝶形光缆涂胶定型装... 国家知识产权局信息显示，浙江东通光网物联科技有限公司申请一项名为“一种蝶形光缆涂胶定型装置、生产系统...
兰剑智能获得实用新型专利授权：... 证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兰剑智能（688557）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“...