3 月 5 日消息，据上海松江官方今日消息，位于松江综保区的尼西半导体科技（上海）有限公司，已经建成全球首条 35 微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。

官方介绍称，把一片晶圆磨到只有 35 微米厚，这一厚度突破让功率芯片的导通电阻和热阻大幅降低，显著提升了器件的能效与散热性能，为新能源汽车、5G 基站等高功率密度应用场景提供了核心支撑，为国产器件进入高压平台、快充等市场提供了量产底座。

晶圆薄到 50 微米以下后，脆得像薯片，稍微受力就可能裂开。尼西半导体与设备供应商一起攻关，把加工精度控制在 35±1.5 微米，碎片率压到 0.1% 以内；把研磨产生的应力损伤，通过化学腐蚀消除掉 92%；切割环节也换了思路，不用传统刀片，而是采用定制化激光，热影响区小，切出来的良率达到 98.5%。

晶圆做薄后，载流子跑通芯片的时间缩短 40%，发热量下降，导通损耗减少。热阻比 100 微米的标准品下降 60%，相当于给芯片装上了更好的散热片。封装环节也跟着受益 —— 可以做双面散热，模块热阻再降 30%，功率循环寿命翻了 5 倍。

官方还提到，从键合、研磨、切割到测试环节，产线均配备专用设备，其中测试环节单日产出可达 12 万颗成品。

此外，该产线中的关键设备由公司工程师与国内设备厂商联合研发，通过协同创新实现了核心装备的自主可控，填补了国内相关技术空白。

IT之家查询公开资料获悉，尼西半导体科技（上海）有限公司成立于 2007 年 8 月 21 日，是美商万国半导体（AOS）在中国设立的主要半导体生产基地之一，由万国半导体（香港）股份有限公司全资控股。