大家都知道，目前大规模的芯片制造，均是基于光刻技术，即先制造一张掩膜版，然后光线照射掩膜版，进行图案复制，将掩膜版上的芯片电图路，转移至硅晶圆上去。

可见，在光刻技术中，掩膜版是母版，是芯片制造的“高精度底片”。

那么问题就来了，掩膜版又是怎么制造的，用什么设备？其实目前主要用的是“电子束光刻机”。

电子束光刻机，是直接用高速电子束轰击光刻胶，然后直接就能够在晶圆表面“雕刻”电路图案，制造出光掩膜版。

从这里大家也可以看出，就算你有EUV光刻机，如果没有电子束光刻机，制造不出掩膜版，那么相当于没有芯片母版，也无法制造出芯片来。

所以电子束光刻机，还是相当重要的，之前国内一直从日本进口，日本的JEOL与NuFlare，向中国提供的电子束光刻机，分别对应着40nm及以下和7nm及以下的工艺节点。

但这样依赖日本的设备，肯定不是办法，所以一直以来，国内也在努力的研发自己的电子束光刻机。

而在2025年，一是中国电子集团第48研究所，制造出了可变束技术的电子束光刻机，虽然分辨率为50nm，但在成熟的芯片工艺上，我们可以实现国产替代了。

另外，浙大余杭量子研究院，更是研发出了先进的电子束光刻机-“羲之”，这台光刻机精度达到0.6nm，线宽8nm，对应的是先进芯片工艺。

并且这两台设备，可不是实验室设备，不是PPT，而是已经量产，并且发货至客户应用于实际生产的设备。

所以很明显，目前国产电子束光刻机门槛已经被突破了，接下来，我们会有更多的，技术更先进的电子束光刻机推出来。

当然，正如前面所言，电子束光刻机因为速度慢，且容易受干扰，对环境要求高，确实不适合大规模的芯片制造，主要用于掩膜版的制造，替代不了光刻机，但它也是芯片制造领域中必不可少的设备，如今我们有了突破，想必整个芯片产业的格局，可能也会被改变。