上海华力申请减小器件LOD效应的方法专利，改善LOD效应_科技资讯

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2026-03-15 13:35:25

国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“减小器件LOD效应的方法”的专利，公开号CN121665913A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种减小器件LOD效应的方法，沉积刻蚀停止层并降低刻蚀停止层表面反射率后再执行后续工艺。本发明能改善LOD效应，使ILD0内空洞率显著下降，M0A短路失效基本消除，工艺兼容性强且良率提高。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2771条，此外企业还拥有行政许可399个。

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来源：市场资讯