国家知识产权局信息显示,上海微阱电子科技有限公司申请一项名为“一种集成电路及其封装方法”的专利,公开号CN121772764A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种集成电路及其封装方法,通过准备大尺寸转接芯片;所述大尺寸转接芯片包括金属线层区与空白区;所述金属线层区包括金属结构层与第一表面电连接结构;在所述空白区刻蚀开放凹槽;将嵌合体嵌入所述开放凹槽,得到整合芯片;在所述整合芯片的上表面设置图形化的绝缘阻断层;所述绝缘阻断层暴露所述嵌合体的第二表面电连接结构与所述第一表面电连接结构;在所述绝缘组断层的基础上,对所述嵌合体及所述金属线层区进行重布线。本发明中大尺寸芯片具有成本优势,嵌合体采用标准光刻技术,具有小线宽的能力,同时全部结构均为硅基材料芯片,热膨胀系数高度匹配,散热效果很高,良品率高。
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