国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN122373444A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括：提供包括第一、第二器件区的衬底；形成栅极材料层；刻蚀第一器件区的栅极材料层形成第一器件栅极结构；进行第一轻掺杂区注入；沉积硬掩模介质层；刻蚀硬掩模介质层和第二器件区的栅极材料层形成第二器件栅极结构，硬掩模介质层保留在第一器件栅极结构侧壁；沉积侧墙介质层；刻蚀形成第一、第二侧墙结构，第一侧墙结构厚度大于第二侧墙结构。本发明利用逻辑器件刻蚀的硬掩模层加厚高压器件侧墙，无需增加光罩即可提升高压器件击穿电压，降低了工艺成本。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2064条，此外企业还拥有行政许可119个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7850条，此外企业还拥有行政许可461个。

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来源：市场资讯