刷爆全网的SRAM，市场空间到底有多大？
2月20日起，SRAM概念横空出世，并持续发酵，概念龙头北京君正两个交易日涨近30%。
消息面上，世界最快的大模型Groq一夜之间爆火，能够每秒输出近500个token，相比之下，ChatGPT-3.5每秒生成速度仅为40个token。
Groq突然爆火，背后最大的功臣不是GPU，而是自研的LPU——语言处理单元。单卡仅有230MB内存，2万美元一张。在LLM（大语言模型）任务上，LPU比英伟达的GPU性能快10倍。而LPU与GPU核心区别就是LPU内存采用了SRAM，而不是HBM。
SRAM和HBM都是内存，内存分为DRAM动态随机存储器和SRAM静态随机存储器，HBM是目前在AI芯片领域广泛使用的一种高性能DRAM。相比于DRAM包括HBM来说，SRAM的优势在于速度快（快10-20倍）、制造成本低；但缺点是存储容量低。而存储容量低就意味着更高的整体投资成本，有数据显示，运行同样一个大模型，采用HBM，只需要一块H200（相当于1/4个服务器机架的密度），但如果采用SRAM，就需要256个LPU，相当于4个满载的服务器机架，数量上是16倍，整体投资成本就会大幅提升。
简单说，现在采用SRAM就是追求10倍速率的提升，然后牺牲几十倍的成本。因此，在某些追求速度的语言模型中，SRAM路径确实是比较合理的选择，但如果因此就得出结论说SRAM会取代HBM，甚至LPU会颠覆GPU，目前来看，可能性为0，毕竟几十倍成本摆在那里。
就存储芯片行业本身来说，我们“优秀交易员”节目此前多次提及行业的投资机会。今年以来存储行情整体向上，全球三大厂商三星、SK海力士和美光均控制供给，涨价态度坚定。三星电子、美光表示，随着电子设备存储容量扩大、AI PC需求增长等因素，2024全年存储业务将会继续复苏。SK海力士则看好高性能DRAM需求增长，2024年将专注于AI用存储器HBM3E、HBM4的量产。
机构预计在供给控制及需求复苏下，2024年第一季度DRAM环比涨幅13%-18％，NAND环比涨幅18%-23％。
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