原标题：中芯集成-U申请半导体器件专利，降低器件内部的寄生电容

金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法、电子装置“，公开号CN117594440A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有至少一个虚拟器件区和至少一个器件区，虚拟器件区与器件区间隔设置；在虚拟器件区形成至少两个第一浅沟槽，在器件区形成至少两个第二深沟槽，其中，所述第一浅沟槽和所述第二深沟槽的顶部区域呈碗状，第一浅沟槽的宽度大于第二深沟槽的宽度，第一浅沟槽的深度小于第二深沟槽的深度；形成覆盖半导体衬底的栅极介电层，第一浅沟槽和第二深沟槽的底部和侧壁上均形成有栅极介电层；在栅极介电层上形成栅极材料层；回刻蚀栅极材料层，以在第二深沟槽中形成栅极，在第一浅沟槽的内侧壁上形成虚拟栅极。该方法降低了器件内部的寄生电容，减少了器件的开关损耗和功耗。

来源：金融界