IT之家 2 月 26 日消息,美光科技今日宣布开始批量生产 HBM3E 高带宽内存,其 24GB 8H HBM3E 产品将供货给英伟达,并将应用于 NVIDIA H200 Tensor Core GPU(第二季度开始发货)。
IT之家查询官方资料获悉, 美光 HBM3e 内存基于 1β 工艺,采用 TSV 封装、2.5D / 3D 堆叠,可提供 1.2 TB / s 及更高的性能。
美光表示,与竞争对手的产品相比,其 HBM3E 解决方案有着以下三方面的优势:
美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 表示:“美光科技凭借这一 HBM3E 里程碑实现了三连胜:上市时间领先、一流的行业性能以及差异化的能效概况。”“人工智能工作负载严重依赖内存带宽和容量,美光处于有利位置,可以通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图以及我们用于人工智能应用的完整 DRAM 和 NAND 解决方案组合来支持未来人工智能的显著增长。”。
HBM 是美光科技最赚钱的产品之一,部分原因在于其构造所涉及的技术复杂性。该公司此前曾表示,预计 2024 财年 HBM 收入将达到“数亿”美元,并在 2025 年继续增长。
美光还宣布将会在 3 月 18 日召开的全球人工智能大会上分享更多有关其行业领先的人工智能内存产品组合和路线图的信息。