深圳爱仕特取得结势垒肖特基二极管专利，有效提高反向击穿电压_科技资讯

深圳爱仕特取得结势垒肖特基二极管专利，有效提高反向击穿电压

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2024-11-20 06:22:00

金融界2024年11月19日消息，国家知识产权局信息显示，深圳爱仕特科技有限公司取得一项名为“种结势垒肖特基二极管”的专利，授权公告号 CN 222015414 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型涉及涉及半导体技术领域，特别涉及一种结势垒肖特基二极管，包括外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触层、第一电极，外延层具有相对的第一表面和第二表面；外延层中形成有多个间隔设置于第一表面一侧的P型区；肖特基金属层设置于外延层的第一表面上；第一欧姆接触层设置于第一表面一侧的P型区表面上；第一电极覆盖第一表面一侧的肖特基金属层和第一欧姆接触层；其中，位于第一表面上的P型区宽度小于位于外延层内的P型区宽度。通过上述对P型区的设计可以明显降低P型区边缘拐角电场集中的效应，从而有效提高反向击穿电压。

来源：金融界

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