三星申请半导体存储器件专利，提供了一种半导体存储器件_科技资讯

三星申请半导体存储器件专利，提供了一种半导体存储器件

金融界

2024-01-11 06:33:31

金融界2024年1月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件“，公开号CN117377322A，申请日期为2023年3月。

专利摘要显示，提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：位线，在第一方向上延伸；第一字线和第二字线，在第二方向上延伸并且与所述位线交叉；有源图案，在所述第一字线和所述第二字线之间位于所述位线上，并且包括彼此相对的第一竖直部分和第二竖直部分以及在所述第一竖直部分和所述第二竖直部分之间延伸的水平部分；第一数据存储图案，位于所述第一字线与所述有源图案的所述第一竖直部分之间；第二数据存储图案，位于所述第二字线与所述有源图案的所述第二竖直部分之间；以及源极线，连接到所述有源图案，在所述第一方向上延伸，并且与所述第一字线和所述第二字线交叉。

来源：金融界

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