三星申请半导体器件专利，实现更优的半导体器件设计_科技资讯

三星申请半导体器件专利，实现更优的半导体器件设计

金融界

2024-03-04 08:23:37

金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117637752A，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：在基板的第一区域和第二区域上的第一有源鳍和第二有源鳍；隔离图案，在第一区域和第二区域之间的边界以及第一区域和第二区域的与其相邻的部分上，隔离图案将第一有源鳍和第二有源鳍分开；第一栅极结构，在第一区域上的第一有源鳍和隔离图案上；第二栅极结构，在第二区域上的第二有源鳍和隔离图案上；第一源极/漏极层，在与第一栅极结构相邻的第一有源鳍上；以及第二源极/漏极层，在与第二栅极结构相邻的第二有源鳍上。第一栅极结构与第一有源鳍重叠的部分的宽度大于第二栅极结构与第二有源鳍重叠的部分的宽度。

来源：金融界

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