原标题：晶合集成申请半导体器件及其制作方法专利，提高半导体器件的性能

金融界2024年3月4日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“，公开号CN117637814A，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成垫氧化层、垫氮化层和氧化硬掩模层；在衬底内形成多个沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成保护氧化层，在垫氧化层与衬底的界面，保护氧化层向垫氧化层的底部生长，且厚度递减；回刻垫氮化层；去除氧化硬掩模层和保护氧化层，在沟槽靠近所述衬底的顶部边缘，沟槽与两侧的衬底之间形成预设倾斜角度的斜坡；在沟槽内形成介质层；在介质层上形成屏蔽栅极；去除垫氧化层、垫氮化层和部分介质层；在衬底和屏蔽栅极上形成栅间氧化层；在部分栅间氧化层上形成控制栅极。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的性能。

来源：金融界