德州仪器转型8英寸GaN工艺
德州仪器（TI）近日披露了在GaN功率器件工艺方面新的战略规划，该公司正在将其GaN-on-Si生产工艺从6英寸向8英寸过渡。
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TI从6英寸转型8英寸
3月5日，TI韩国总监Ju-Yong Shin表示，TI正在美国达拉斯、日本会津和其他地方兴建8英寸晶圆厂。据Shin介绍，TI目前采用6英寸工艺生产GaN半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，而在日本会津工厂，TI正在将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN半导体生产线。
在半导体行业，从一定程度上来说，随着晶圆尺寸越来越大，单位器件成本呈下降趋势。8英寸晶圆的面积是6英寸晶圆的1.78倍，12英寸晶圆的面积是8英寸晶圆的2.25倍，更大的晶圆尺寸意味着可以生产更多的器件，有助于提高生产效率。
有业内人士表示，从6英寸生产工艺转向8英寸工艺，有望将生产成本降低10%以上。由此看来，TI的工艺转型有望降低GaN半导体价格，进而能够提供更低价格的器件以及解决方案，帮助其从降本入手获得一定的竞争优势。
值得一提的是，GaN-on-Si是硅基技术，可以利用现有硅晶圆代工厂已有的规模生产优势，实现产品的规模量产和快速上市。基于此，TI能够加速上文所说的将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN生产线的进程，从而更快实现转换目标。
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TI GaN业务进展
当前，国内外厂商均在积极推进建设8英寸GaN晶圆项目，TI顺势而为，实施8英寸转型战略，在降本增效的同时，也能够在技术方面置身于产业第一梯队。
近年来，TI积极涉足GaN全产业链，以期在稳健增长的GaN市场分一杯羹。据TrendForce集邦咨询分析，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
source：TI
产能方面，TI日本负责人Samuel Vicari在2023年2月曾透露，将扩大在日GaN晶圆产能。据悉，扩产的原因在于TI使用GaN的相关产品需求较高，为此，TI将主要投资福岛县的会津工厂以扩大产能。
此前，TI日本会津工厂产能并非全部用于GaN产品，而通过最新的转型规划，TI有望将GaN半导体提升为会津工厂主要产品，其GaN晶圆产能将进一步扩大。
产品方面，GaN功率器件市场的发展主要由消费电子所驱动，目前核心仍在于快充。不久前，TI发布了低功耗GaN系列新品，可助力提高功率密度、提升系统效率、同时缩小交流/直流消费类电力电子等产品的尺寸。
如今，消费者需要更小、更轻、更便携，同时还能快速充电的高能效电源适配器，而借助TI发布的新品，设计人员可将低功耗GaN技术优势应用到更多消费者日常使用的产品中，如手机和笔记本电脑适配器等。
TI低功耗GaN产品有助于推动GaN技术在消费电子领域的进一步渗透，同时在一定程度上带动公司GaN业务板块业绩增长。
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小结
此次向8英寸转型，配合2023以来实施的扩产计划，TI未来有望提供更多GaN相关产品，在GaN供不应求的大环境下，分食更多市场份额。
成本问题是制约GaN产业快速发展的因素之一，向8英寸以及更大尺寸转型是降低GaN器件成本可行之法。TI实施8英寸转型战略，既有助于降低自身GaN产品成本，也有望在一定程度上推动市场上相关产品降价，进而扩大应用，推动产业正面发展。
文：集邦化合物半导体Zac