金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器“,公开号CN117693183A,申请日期为2022年8月。
专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器,该半导体结构包括:衬底;形成于衬底上方的堆叠结构;其中,堆叠结构包括多个器件结构和多个字线结构,器件结构沿第一方向延伸,字线结构沿第二方向延伸;器件结构依次包括电容区和有源区;形成于堆叠结构中的多个位线结构,且位线结构沿第三方向延伸;其中,位线结构依次穿过不同堆叠层中沿第三方向排布的有源区,其中,任意相邻的两个位线结构沿第二方向至少部分错开排列,第一方向和第二方向位于平行于衬底的表面所在的平面,第三方向垂直于衬底的表面。本公开实施例能够减小位线电容,提高器件的感应裕度。
来源:金融界