原标题：三星18nm FD-SOI工艺，能效提升50%！

2024-03-21 13:20:27 作者：姚立伟

意法半导体与三星合作，共同推出了一项新的18nm FD-SOI工艺。这项工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。相比之前使用的40nm eNVM技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺在性能参数上有了大幅提高。

首先，在能效方面，新工艺提高了50%。其次，在数字密度上也有了大幅提升，达到了3倍左右，并且可以容纳更大的片上存储器。同时，该工艺还具有更低的噪声系数。值得一提的是，该工艺可以在3V电压下提供多种模拟功能，包括电源管理和复位系统等，在20nm以下制程中是唯一支持这些功能的技术。

除此之外，这项新工艺在抗高温和抗辐射方面也有出色表现，适用于要求苛刻的工业应用。意法半导体首款基于该制程的STM32 MCU将于下半年开始向选定客户出样，并计划于2025年下半年量产。

这项技术的推出为消费者带来了更好的使用体验和更多的功能选择。相信随着科技的不断发展和创新，未来会有更多令人惊喜的产品问世。