原标题：为追赶SK海力士，三星今年HBM产能将增长近3倍！

3月28日消息，据《韩国经济日报》报导，三星执行副总裁兼DRAM产品与科技部长Hwang Sang-joong于当地时间 26日在美国加州圣何塞举行的“Memcon 2024”会议上宣布，今年三星HBM产能有望年增2.9倍，高于三星在CES 2024展会上所说的2.4倍。

Hwang Sang-joong指出，在三星第三代HBM2E及第四代HBM3量产后，三星最新的12层的第五代HBM3E芯片已经开始送样，今年上半将大量生产。还有32Gb晶粒的128GB DDR5內存也将在今年上半年量产。

三星期望在AI时代提升高效能、高容量內存市场的地位。根据三星公布的HMB技术蓝图，预测2026年HBM出货量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。

根据半导体研究机构SemiAnalysis的最新预测，目前在HBM市场，SK海力士市场份额约为73%，三星约为22%，美光约为5%。显然，三星要想在HBM领域追上SK海力士，不仅需要拿下更多的客户订单，还需要大幅提升其HBM的产能。

值得一提的是，三星半导体事业部门负责人桂显（Kyung Kye-hyun）上周才表示，正在开发次世代AI芯片「Mach-1」，已与Naver Corp.敲定协议，今年底交货，合约金额上看1万亿韩元（约7.52亿美元）。Naver希望与三星的供应协议大幅降低依赖英伟达（Nvidia）。

编辑：芯智讯-浪客剑