三星取得制造半导体器件的方法专利，提高半导体器件的制造效率_科技资讯

三星取得制造半导体器件的方法专利，提高半导体器件的制造效率

金融界

2024-04-03 22:37:28

金融界2024年4月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“制造半导体器件的方法“，授权公告号CN109216197B，申请日期为2018年6月。

专利摘要显示，一种制造半导体器件的方法包括：形成包括交替地堆叠在衬底上的至少一个牺牲层和至少一个半导体层的堆叠结构；在堆叠结构上形成伪栅结构；使用伪栅结构作为掩模来在堆叠结构中蚀刻凹部；蚀刻牺牲层被凹部暴露的部分以形成蚀刻的牺牲层；在蚀刻的牺牲层上形成第一间隔膜；在第一间隔膜上形成第二间隔膜，第二间隔膜包括与第一间隔膜的材料不同的材料；去除第二间隔膜的第一部分，使得第二间隔膜的第二部分保留；以及在第二间隔膜的第二部分上形成第三间隔膜。

来源：金融界

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