三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层
驱动之家
2024-04-16 01:37:11
快科技4月16日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。
这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。
这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。
按照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步堆叠到430层。
更遥远的未来，三星可能会在2030年左右做到1000层。
中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士计划明年初量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！
上一篇：南方蟑螂，派上大用了！
下一篇：高温气冷堆打开核电发展新空间
相关内容
热门资讯
CES 2026终极前瞻：中国...
作为全球科技界的开年大秀，一年一度的 CES（Consumer Electronics Show，国...
企业凭什么抢滩AI玩具赛道
来源：滚动播报 （来源：中工网） 萌趣的毛绒公仔，能变换表情，陪用户聊天解闷；智能机器狗，既会唱歌跳...
合肥首飞！长途空中“飞的”来啦...
12月28日，亿航智能VT35长航程无人驾驶eVTOL在合肥成功完成首次公开飞行演示。此次VT35的...
快手技术高管密集出走 副总裁周...
12月30日，有消息称，快手科技副总裁、基础大模型及推荐模型负责人周国睿即将离职。知情人士透露，周国...
千方科技：定位“运力生态组织者...
证券之星消息，千方科技(002373)12月29日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提...