金融界2025年5月13日消息，国家知识产权局信息显示，昆明云锗高新技术有限公司申请一项名为“续接生长消除锗单晶缺陷的方法”的专利，公开号CN119956486A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，续接生长消除锗单晶缺陷的方法，属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种消除红外用大直径锗单晶生长过程中产生的缺陷的方法。本发明的方法包括投料、提渣、引晶、放肩、等径过程，在锗单晶生长过程中，若在放肩步骤完成之前发现孪晶则融化生长出来的体单晶到籽晶位置，重新开始生长来消除孪晶；若在等径过程中出现孪晶，则控制生长出来的体单晶向熔体移动直到孪晶完全融化，并通过观察体单晶上的生长光圈的变化，以及控制热场温度的方式重新续接生长体单晶。本发明的方法，解决了生长较大直径的锗单晶并已经完成转肩进入等径阶段，如果出现孪晶则把生长出来的单晶融化到籽晶处重新生长，则将耗费更多的时间和电量，拖延工期的同时也造成了能源的浪费的问题。通过本发明的工艺控制实现了提高生产效率。

天眼查资料显示，昆明云锗高新技术有限公司，成立于2011年，位于昆明市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，昆明云锗高新技术有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可11个。

来源：金融界