MIT研发新工艺实现氮化镓与硅芯片3D集成_科技资讯

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2025-06-20 13:41:10

【氮化镓与硅“联姻”：新 3D 半导体工艺探索突破摩尔定律新路径】6 月 20 日消息，麻省理工学院（MIT）的研究团队开发出一种低成本、可扩展的制造技术，可将高性能氮化镓（GaN）晶体管集成到标准硅芯片上，从而提升高频应用（如视频通话、实时深度学习）的性能表现。

氮化镓是继硅之后全球第二大半导体材料，因其高频、高效特性，被广泛用于雷达、电源电子等领域。然而，其高昂成本及与硅基芯片的兼容性难题，长期限制了商业化应用。

MIT 团队为此提出了新制造方案，在氮化镓晶圆表面密集制造微型晶体管，切割成仅 240×410 微米的独立单元（称“dielet”），再通过铜柱低温键合技术，精准嵌入硅互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。

转自：IT之家