【氮化镓与硅“联姻”:新 3D 半导体工艺探索突破摩尔定律新路径】6 月 20 日消息,麻省理工学院(MIT)的研究团队开发出一种低成本、可扩展的制造技术,可将高性能氮化镓(GaN)晶体管集成到标准硅芯片上,从而提升高频应用(如视频通话、实时深度学习)的性能表现。
氮化镓是继硅之后全球第二大半导体材料,因其高频、高效特性,被广泛用于雷达、电源电子等领域。然而,其高昂成本及与硅基芯片的兼容性难题,长期限制了商业化应用。
MIT 团队为此提出了新制造方案,在氮化镓晶圆表面密集制造微型晶体管,切割成仅 240×410 微米的独立单元(称“dielet”),再通过铜柱低温键合技术,精准嵌入硅互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片。
转自:IT之家