功率器件竞争升级，多款芯片引领行业突破
前言
在全球功率半导体产业追求更效率功率半导体迁移的浪潮中，技术与资本的激烈角逐持续上演。近期，行业内新动作不断涌现，从性能卓越的新品发布到大规模的产能扩张，从资本的深度并购到关键技术的突破，功率半导体赛道正展现出前所未有的蓬勃活力。为帮助广大读者及时掌握功率半导体行业的新品最新动态，我们精心梳理了近期的突出新品案例，接下来小编将为您深入解析。
本文排序不分先后，按品牌英文首字母顺序排列。
CRMICRO华润微
华润微第6代高性能SGT MOS产品
华润微近期针对Ai服务器、DC-DC以及砖块电源等领域推出25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6，该芯片UIS性能优异、开关损耗低。
相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。实际参数上，该产品采用DFN3×3封装，耐压25V，连续漏电流160A，导阻最高1.5m欧姆。
Infineon英飞凌
英飞凌推出650V MOSFET
英飞凌推出全新650V CoolMOS 8系列芯片，芯片为高功率应用提供50V电压裕量，满足数据中心、电信等应用交流输入电压提升需求，还为电动汽车充电和固态断路器应用增强浪涌保护。该系列集成快速体二极管，适用多种高功率场景，是 CoolMOS 7 MOSFET 的理想升级选择，产品型号丰富。
其具备低导阻、出色的换向耐用性、先进互连技术及完整产品组合，采用8mΩ BiC顶部散热封装设计。竞争优势明显，反向恢复电荷性能提升，反向恢复时间较同类缩短 35%，采用 QDPAK 等顶部散热封装技术，品质卓越。可简化设计、缩短开发周期，产品线清晰，推动系统级创新，广泛应用于数据中心、电信设备、超固态解决方案、电动汽车充电、不间断电源及工业SMPS等领域。
Innoscience英诺赛科
英诺赛科推出顶部散热Dual-Cool GaN，显著提升系统热性能
英诺赛科的Dual-Cool系列氮化镓的主要优势在于其采用了先进的Dual-Cool En-FCLGA封装，传统单冷却封装因热路径单一，易形成局部热点，而En-FCLGA封装由于双面散热架构的引入，通过顶部与底部的协同散热设计，较同类单面散热方案提升65%的导热效率。这一改进直接降低了器件的工作结温，显著提升系统热性能，有助于实现更高的功率密度。
Dual-Cool系列氮化镓的另一大亮点是其先进的100V E-mode GaN 技术。该技术赋予了产品极低的栅极电荷以及更低的导阻。同时，其占板面积非常小，能够有效节省PCB空间，满足现代电子设备对小型化的需求。
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Navitas纳微
纳微推出极佳耐高温表现和高稳定性SiCPAK功率模块
纳微全新SiCPAK功率模块采用环氧树脂灌封技术，结合纳微独家的 “沟槽辅助平面栅” 碳化硅MOSFET技术，历经严苛设计及全面验证流程，专为高功率环境中的稳定运行打造，可靠性与耐高温性能更优。
纳微SiCPAK功率模块内置NTC热敏电阻，提供多种产品组合，提供4.6-18.5mΩ规格可选，封装提供SiCPAK F以及SiCPAK G可选，同时对应半桥、全桥、光伏三项逆变等不同电路配置场景，与行业标准压接式模块可实现引脚对引脚兼容，另可选配预涂导热界面材料（TIM）以简化组装流程。
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PI
PI发布HiperLCS-2芯片组
PI HiperLCS‑2 离线式 LLC 开关IC芯片组由集成高带宽 LLC 控制器、同步整流驱动器和 FluxLink 隔离链路的隔离器件HiperLCS2‑SR与采用600 V FREDFET 半桥功率器件 HiperLCS2‑HB 构成，借助全新 POWeDIP 封装及电绝缘陶瓷导热垫，可实现高达1650 W 连续输出，峰值更是可达2450 W，效率超过98%，空载功耗低于65 mW，且无需风扇或通风设计。
器件在400 V DC输入下可提供出色的0%–100%动态响应，同时相较于分立式方案元件数与PCB面积最多减少60%，通过自供电启动功能还可为后级 PFC 芯片提供偏置电源，极大提升工业电源及户外电动工具充电器的可靠性、防尘防潮性能和散热简便性。
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Renesas瑞萨
瑞萨发布新一代650V GaN FET
瑞萨电子基于 Gen IV Plus 平台推出三款新型高压 650V GaN FET，型号分别为 TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS，提供 TOLT、TO-247 和 TOLL 三种封装。
以 TP65H030G4PRS 为例，其为 30mOhm、650V GaN 器件，采用符合 JEDEC 标准的 GaN 技术，经低动态电阻Dynamic RDS(on) eff 验证，拥有零反向恢复电荷，可减少分频损耗，提升硬开关和软开关电路效率，进而提高功率密度、减小系统尺寸和重量、降低成本，适用于AI数据中心和电信电源、电动汽车充电等多领域。三款产品封装紧凑，能满足1kW至10kW电源系统热性能与布局优化需求，且可并联组成更高功率电源系统，其中TOLL和TOLT封装利于散热及并联，TO-247封装则可实现更高功率。
ROHM罗姆
罗姆推出AI服务器适用100V MOSFET
罗姆公司新推出100 耐压的功率MOSFET——RY7P250BM，尺寸为8×8mm，未来需求看涨且能轻松替换现有产品。它兼具宽 SOA 范围和低导通电阻，保障热插拔工作可靠性并优化电源效率、降低功耗发热量，在 AI 服务器 48V 电源热插拔电路等场景应用优势明显。
RY7P250BM的SOA范围在脉宽10ms时可达 16A、1ms 时达 50A，性能业界领先。与普通同尺寸同耐压 MOSFET 相比，其导通电阻仅 1.86mΩ（VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃），降低约 18%。这大幅减少功率损耗、发热量，提升电源效率，缓解冷却负荷、削减电力成本。
Vishay威世
威世推出新款80V TrenchFET Gen IV N 沟道功率 MOSFET
Vishay推出80V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSFET——SiEH4800EW，具备更低导阻。这款采用无引线键合（BWL）封装的MOSFET，在10V下导通电阻为0.88mΩ，有效降低功率损耗，提升效率；其最大热阻低至 0.36 ℃/W，大幅改善热性能。8×8mm尺寸新品与TO-263封装MOSFET相比PCB面积减少50%，厚度仅1mm。
SiEH4800EW焊盘融合设计，源焊盘可焊面积达3.35 mm²，较传统PIN焊接面积大四倍，降低电流密度，减少电迁移风险。其侧翼易于吸附焊锡，提高可焊性和焊点可靠性。这款MOSFET 非常适合同步整流和Oring应用，典型应用于电机驱动控制器、电动工具等工业设备，可在 +175 ℃高温下工作，BWL 设计降低寄生电感，提升电流能力，且符合RoHS标准，无卤素，经过 100%Rg和UIS测试。
XYD芯一代
芯一代推出60V SGT MOS XK1P2N060GX1A
XK1P2N060GX1A为屏蔽栅沟槽型 MOSFET（SGT MOS），。其耐压大于 60V，导通电阻典型值 Rds（on）仅为 1.2mΩ，相比同类产品，展现出低比导通电阻的特点。同时，该产品具备低密勒电容，开关速度快，在高频开关情况下损耗低。在电性参数上，其优秀的电容和 Qg 特性，使得开关时间较短且损耗较小，击穿电压稳定达到 60V 以上，具备工业级的高可靠性。
在应用领域方面，本产品可广泛适用于储能电源、电机控制、电动工具、无人机、服务器、数据中心电源、快充电源适配器等行业。得益于其低导通电阻、低开关损耗等优势，能够满足这些领域对高效能、高可靠性电子元件的需求，为相关设备的稳定运行和性能提升提供有力支持。
YJ杨杰
杨杰推出SGT工艺N60V MOSFET新品
扬杰科技近期隆重推出专为清洁能源领域打造的N60V MOSFET系列产品。该系列产品运用特殊优化的 SGT 技术，在降低导电和栅极电荷方面表现出色，显著减少了导通和开关过程中的损耗，同时有效提升了 MOSFET 抗冲击电流的能力，使其成为高功率密度与高效率电力电子变换系统的理想选择。
产品具有诸多亮点。首先，采用优化的 SGT 工艺，内阻低且开关特性优异。其次，具备耐高温特性，能在 175℃的工作温度下稳定运行，同时拥有出色的散热性能和良好的温升表现。在封装方面，采用 TOLL、TO-263 等封装形式，适用于 BMS 等大功率应用场景。此外，针对工控应用的多种复杂工作状态，对MOS产品EA 能力进行优化，大幅提高了产品的可靠性，可在BMS、DC-DC、储能、光伏微逆等领域应用。
充电头网总结
功率半导体行业正不断突破升级。从低电压到高耐压，从高导阻到低损耗，各品类产品持续优化，封装工艺日益精湛，应用场景也愈发广泛。每一次技术演进，都为电源系统效率与可靠性带来质的飞跃，推动着数据中心、新能源汽车、工业设备等多领域快速发展。随着研发深入与创新加速，功率半导体还将不断迭代，为全球电子产业注入强大动力，引领行业迈向更高台阶。
以上便是本次多款功率器件新品汇总的全部内容，如您需要持续了解功率半导体行业风向，您可以关注充电头网，我们将会持续为您整理业界最新动向。
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