金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司取得一项名为“一种衬底及半导体器件”的专利,授权公告号CN223157525U,申请日期为2024年09月。
专利摘要显示,本申请提供了一种衬底及半导体器件,该衬底包括:基底层;顶层半导体层,顶层半导体层的厚度小于基底层的厚度;支撑介质层和应力缓冲层,层叠的设置在基底层和顶层半导体层之间,并将基底层和顶层半导体层连接,其中,支撑介质层的刚度大于应力缓冲层的刚度。本申请方案在基底层和顶层半导体层之间形成有支撑介质层和应力缓冲层,应力缓冲层用于缓解应力,支撑介质层能够有效提高衬底的硬度和刚度,进而改善衬底的弯曲度值;同时,支撑介质层和/或应力缓冲层的导热系数大于氧化硅的导热系数,能够有效改善衬底的散热效率。
天眼查资料显示,芯联集成电路制造股份有限公司,成立于2018年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析,芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业,参与招投标项目1695次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息713条,此外企业还拥有行政许可40个。
来源:金融界