台积电2nm芯片启动，学习三星，抛弃老掉牙的FinFET，采用GAAFET
在芯片工艺中，有一个核心指标，叫做“线宽”。
什么叫线宽？指的是芯片的最小电路蚀刻宽度，线宽越窄，单位面积所能刻蚀的晶体管数量就越多，性能也就越强。
但线宽不可能无限缩小，因为电路要正常通电，至少也要维持着几十上百个原子的宽度，不可能持续的，无限的缩小的。
而当芯片工艺进入28nm之后，其所谓的线宽其实变化不大。因为在28nm时，其物理蚀刻工艺，其实已经接近了物理极限了。
但在28nm之后， 为何还有22nm、14nm、7nm、5nm、3nm这些呢，其实指的是等效工艺，是通过芯片架构、设计、结构等的改进，实现了“同XXnm芯片一样的能效”。
芯片制程对摩尔定律的推进，早已不再依赖“线宽“指标的提升，而是靠其它技术了。
举个例子，14nm工艺前，大家用的是Planar FET晶体管技术，当芯片进入14nm时，三星推出了FinFET晶体管技术，这就是结构的改进。
不过FinFET也只能支持几代工艺制程的进步，到5nm时，已经是比较老迈，急需换拿东西了。
所以到3nm工艺时，三星又使用了GAAFET晶体管技术，来替代之前的FinFET晶体管技术，这就是晶体管技术的改进。
三星原以为在3nm时，自己依赖更先进的GAAFET晶体管技术，能够追上甚至超过台积电，不曾想最后还是没成功，在技术、份额上还是落后台积电很多。
而近日，台积电也正式表态，自己的2nm芯片工厂开始启动了，预计会在今年4月份启动设备安装，然后P2工厂和高雄工厂将于2025年开始生产2nm制程芯片。
在技术路线上，这次台积电向三星学习了，抛弃掉了老掉牙 FinFET晶体管技术了，升级为GAAFET晶体管技术。
与FinFET晶体管技术相比，GAAFET晶体管技术结构更复杂，阈值电压更低，这样性能更强，耗电量更低，功耗表现更佳。
另外，intel也表示，自己在2024年左右，量产20A（所谓的2nm技术），也会抛弃掉FINFET晶体管技术，采用GAAFET晶体管技术，或转向RibbonFET及PowerVIA等下一代技术。
可以预见的是，2nm时，又会神仙打架了，新一代的晶体管架构将到来了，相比于3nm工艺，可能又会是一个质的进步。