【CNMO科技消息】6月18日,据外媒报道,智能手机运行大模型时正面临内存带宽瓶颈,而这一难题难以通过软件更新解决。一种名为LLW(低延迟宽DRAM)的新内存格式正在开发中,旨在解决当前LPDDR内存对AI模型本地运行的制约。
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外媒指出,当前LPDDR内存在向处理器快速传输数据方面存在限制,这也是AI数据中心普遍采用HBM(高带宽内存)的原因之一。HBM通过将多层内存贴近处理器并经由极宽接口连接,实现了比LPDDR快10至15倍的带宽,但其复杂的封装和散热方案并不适用于智能手机。LLW内存借鉴HBM设计,在提供更高带宽和更低延迟的同时,避免了堆叠内存带来的空间与散热问题,有望成为智能手机的HBM解决方案。
不过,外媒强调对于上述技术相关爆料仍需理性看待,目前所有相关信息均来自行业数码博主相关爆料,并非官方发布。据CNMO科技了解,相关博主透露,LLW内存可将设备功耗降低约50%,同时综合性能提升1.5倍左右。
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至于商用普及进度,同一份爆料指出LLW距离大规模量产落地还有数年时间。具体来看,该内存技术要到2027年下半年才会迎来大范围装机。传闻小米、华为有望成为首批搭载该技术的厂商,但两家企业均未公开提及这项新技术。