证券之星消息,根据天眼查APP数据显示盛美上海(688082)新获得一项发明专利授权,专利名为“去除阻挡层的方法”,专利申请号为CN202010519561.8,授权日为2025年9月12日。
专利摘要:本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层的方法,去除单层金属钌阻挡层,包括:氧化步骤,使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层氧化成钌氧化物层;氧化层刻蚀步骤,用刻蚀液对钌氧化物层进行刻蚀,去除钌氧化物层。本发明还提出去除硅片上金属互连的阻挡层的方法,用于10nm及以下的工艺节点的结构中,结构包括衬底、介质层、阻挡层和金属层,介质层沉积在衬底上,介质层上形成凹进区,阻挡层沉积在介质层上,金属层沉积在阻挡层上,金属层是铜层,阻挡层是单层金属钌层,该方法包括:减薄步骤,对金属层进行减薄;去除步骤,去除金属层;氧化步骤,对阻挡层进行氧化,氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺;氧化层刻蚀步骤,刻蚀氧化后的阻挡层。
今年以来盛美上海新获得专利授权18个,较去年同期增加了350%。结合公司2025年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了4.16亿元,同比增20.17%。
通过天眼查大数据分析,盛美半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了17家企业,参与招投标项目168次;财产线索方面有商标信息34条,专利信息594条;此外企业还拥有行政许可31个。
数据来源:天眼查APP
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