半导体材料，重大突破
国内半导体行业大尺寸磷化铟（InP）材料制备领域取得重大突破。
8月19日，湖北九峰山实验室公布，近日，该实验室成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。
据了解，作为光通信、量子计算等领域的核心材料，磷化铟材料的产业化应用长期面临大尺寸制备的技术瓶颈，业界主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长。
目前，全球光电子产业高速发展，光通信、激光雷达、太赫兹通信等领域对磷化铟的需求呈现爆发式增长。据Yole预测，磷化铟光电子市场规模2027年将达56亿美元，年复合增长率达14%。
此次九峰山实验室依托国产MOCVD设备与磷化铟衬底技术，首次开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，为实现6英寸磷化铟光芯片的规模化制备打下了基础。
九峰山实验室相关负责人向上证报记者介绍，6英寸磷化铟工艺的突破，有望推动国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%到70%，有助于增强国产光芯片市场竞争力。
九峰山实验室还透露，本次联合国内供应链实现全链路突破，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有重要影响，也为产业链自主可控奠定了基础。其中，九峰山实验室本次技术突破中6英寸磷化铟（InP）衬底合作方云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已实现突破，量产在即。
从全球范围来看，2024年3月美国的Coherent（高意）宣布已建立全球首个具备6英寸磷化铟晶圆生产能力的工厂，并借此扩大其在欧美地区的磷化铟产能，大幅降低激光器、探测器及电子产品等磷化铟光电器件的芯片成本。
业内人士认为，九峰山实验室的6英寸InP工艺不仅填补了国内空白，更以关键性能的国际领先性标志着中国在高端化合物半导体领域已进入全球第一梯队，并推动国产光芯片的成本下降。
九峰山实验室位于湖北武汉，致力于化合物半导体研发，打造共享科研平台。今年3月，九峰山实验室在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓高电子迁移率材料的制备，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测等前沿技术发展提供支撑。
作者：丁鹏 荆淮侨
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